S510半导体可靠性测试系统

• 为65nm栅电介质结构NBTI和TDDB测试进行优化
• 加速可靠性建模的数据采集
• 通过自动化并行晶圆上测试提高产出
• 为高度灵活的系统提供20或更多并行stress/measure通道
• 为每个测试结构提供独立的stress/measure通道

以及时的方式满足建模所需的大量可靠性数据比以往任何时候都重要，因为新材料和不断缩小的器件尺寸要求材料和器件工程师对栅电介质的行为有更好的理解。使用新的高K材料建造的器件被迅速推向生产，因此可靠性/寿命评估、工艺过程开发和工艺集成的时间被缩短。在过去, stress-switch-measure测试曾经是负偏压温度不稳定性(NBTI)和时间相关电介质击穿(TDDB) 测试的标准方法。但是，这一配置的局限在于一次只能测量一到两个器件，因此不能提供大量必需的数据来跟上目前更短的开发周期。吉时利的S510自动WLR测试器采用新方法进行可靠性测试。专用的源/测量通道允许S510提供具有统计意义的数量的数据，所需时间仅为典型的stress-switch-measure系统的三分之一。与配置了昂贵的源-测量单元(SMU)具有宽测量量程的系统不同，S510的SMU具有合适的源和测量量程，提供高速通道，专注于特定的并行NBTI和TDDB需求。

S510半导体可靠性测试系统相关应用 :

• 并行晶圆级可靠性测试
  - NBTI
  - TDDB
• 其它晶圆级可靠性测试
  - CHC (HCI)
  - 充电至击穿
  - 电迁移